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说明：IPC号 = A01B + 4位大类号（不足补零）+ 2~3位小分类号；示例 A01B 1/123 = A01B0001123
| IPC | 描述 | 上级IPC | ||
|---|---|---|---|---|
| H | 电学 | 全部 | 查看专利 | |
| H01 | 基本电气元件 | H | 查看专利 | |
| H01B | 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择 | H01 | 查看专利 | |
| H01C | 电阻器 | H01 | 查看专利 | |
| H01F | 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01G | 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件 | H01 | 查看专利 | |
| H01H | 电开关；继电器；选择器；紧急保护装置 | H01 | 查看专利 | |
| H01H00010233 | 还包含碳化物的〔8〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01H00010237 | 还包含氧化物的〔8〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01H00137057 | 以操作件之间相关联的排列为特征的，例如键组的预装配〔8〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01H00137065 | 以键和分层键盘之间的机械结构为特征的〔8〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01H00137073 | 以弹簧为特征的，例如欧拉弹簧〔8〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01H00850445 | 快或慢型〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01J | 放电管或放电灯 | H01 | 查看专利 | |
| H01K | 白炽灯 | H01 | 查看专利 | |
| H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件〔2〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00213063 | 电解腐蚀〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00213065 | 等离子腐蚀；活性离子腐蚀〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00213105 | 后处理〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00213115 | 绝缘层的掺杂〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00213205 | 非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00213213 | 对该层进行物理的或化学的腐蚀，例如由预沉积的外延层产生一个形成图形的层〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00213215 | 层的掺杂〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00214757 | 后处理〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00214763 | 非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218222 | 双极工艺〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218224 | 由垂直和横向晶体管组合构成〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218226 | 由合并晶体管逻辑和集成注入逻辑构成〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218228 | 互补器件，例如互补晶体管〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218229 | 存储器结构〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218232 | 场效应工艺〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218234 | MIS工艺〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218236 | 增强型和耗尽型晶体管的组合〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218238 | 互补场效应晶体管，例如CMOS〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218239 | 存储器结构〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218242 | 动态随机存取存储结构〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218244 | 静态随机存取 存 储 结 构〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218246 | 只读存储器结构〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218247 | 电可编程序的 〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218248 | 双极和场效应工艺的结合〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218249 | 双极和MOS工艺〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218252 | 衬底是半导体的，采用Ⅲ-Ⅴ族工艺〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218254 | 衬底是半导体的，采用Ⅱ-Ⅵ族工艺〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218256 | 衬底是半导体的，采用H01L 21/822，H01L 21/ 8252或H01L 21/8254组中不包含的工艺〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00218258 | 衬底是半导体的，采用H01L 21/822，H01L 21/8252，H01L 21/8254或H01L 21/8256包含工艺的组合〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00298605 | 带有PN结的电阻器〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310203 | 容器；封装〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310216 | 涂层〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310224 | 电极〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310232 | 与该器件有关的光学元件或设备〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310236 | 特殊表面结构〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310248 | 以其半导体本体为特征的〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310256 | 以材料为特征的〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310264 | 无机材料〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310272 | 硒或碲〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310288 | 以掺杂材料为特征的〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310296 | 除掺杂或其他杂质外，只包含AⅡBⅥ化合物，如CdS、ZnS、HgCdTe〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310304 | 除掺杂或其他杂质外，只包含AⅢBⅤ化合物的〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310312 | 除掺杂或其他杂质外，只包含AⅣBⅣ化合物的，如SiC〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310328 | 除掺杂或其他杂质外，包含已列入H01L 31/0272至H01L 31/032组中两组或更多个组的半导体材料〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310336 | 在不同半导体区域的，如Cu2X/CdX异质结，X为周期表中的Ⅵ族元素〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310352 | 以其形状或以多个半导体区域的形状、相关尺寸或配置为特征的〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310368 | 包含多晶半导体的〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310376 | 包含非晶半导体的〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310384 | 包含其他非单晶材料的，如埋入绝缘材料中的半导体颗粒〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01L00310392 | 包含沉积在金属或绝缘体衬底上的薄膜〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01M | 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01P | 波导；谐振器、传输线或其他波导型器件 | H01 | 查看专利 | |
| H01Q | 天线 | H01 | 查看专利 | |
| H01R | 导电连接；一组相互绝缘的电连接元件的结构组合；连接装置；集电器 | H01 | 查看专利 | |
| H01S | 利用受激发射的器件 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00030915 | 利用非相干光〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00030933 | 半导体，如发光二极管的〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00030937 | 利用爆炸或易燃材料产生的〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00030941 | 半导体激光器，例如激光二极管的〔6〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00030943 | 气体激光器的〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00030947 | 有机染料激光器的〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00030951 | 通过增加激光器气体介质的压力〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00030953 | 气动激光器，即利用激光气体介质膨胀到超声气流速度〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00030955 | 利用高能粒子的泵浦〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00030957 | 通过高能核粒子〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00030959 | 通过电子束〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00030971 | 横向激励的〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00030973 | 具有行波通过激活介质〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00030975 | 利用电感或电容激励〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00030977 | 具有辅助电离装置〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00030979 | 气动激光器，即利用把气体激光介质膨胀到超声气流速度〔5〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00031055 | 反射器之一是由绕射光栅构成的〔4〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00050625 | 在多节激光器里〔7〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00050683 | 通过监测光输出参数的〔7〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01S00050687 | 稳定激光器频率的〔7〕 | H01 | 查看专利 | |
| H01T | 火花隙；应用火花隙的过压避雷器；火花塞；电晕装置；产生被引入非密闭气体的离子 | H01 | 查看专利 |